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该方法无需对Cu和SiO2表面进行官能团的选择性构建，位入而是通过协同活化的办法使金属/氧化物混合表面同时悬挂高活性羟基(-OH)官能团，位入以兼顾Cu-Cu与SiO2-SiO2键合，最终在200℃（界面实际温度185℃）的低温条件下实现了原子扩散充分且性能稳定的同质Cu-Cu、SiO2-SiO2及Cu/SiO2混合键合界面。目前担任中国机械学会焊接分会青年委员会、电力电子封装国际会议(ICEPT)技术委员会等多个学术组织的委员，IEEE高级会员(SeniorMember)。
